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薄膜襯底 >> 半導體薄膜基片 >> InAs單晶基片
InAs單晶基片
 

 
簡要介紹
 InAs 單晶爲襯底可以生長 InAsSb/In-AsPSb,InNAsSb等異質結材料,制作波長 2~14μm的紅外發光器件,用 InAs單晶襯底還可以外延生長AlGaSb超晶格結構材料 ,制作中紅外量子級聯激光器。
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詳細參數

 

InAs單晶基片

InAs 單晶爲襯底可以生長 InAsSb/InAsPSb,InNAsSb等異質結材料,制作波長 214μm的紅外發光器件,用 InAs單晶襯底還可以外延生長AlGaSb超晶格結構材料 ,制作中紅外量子級聯激光器。.這些紅外器件在氣體監測、低損耗光纖通信等領域有良好的應用前景.此外, InAs 單晶具有很高的電子遷移率 ,是一種制作 Hall 器件的理想材料。作爲單晶襯底 , InAs 材料需要具备低的位错密度、 良好的晶格完整性、 合适的电学参数和较高的均匀性. InP單晶材料的主要生長方法是傳統液封直拉技術(LEC)。

晶體
結構
晶向
熔點
oC
密度
g/cm3
禁帶寬度
InAs
立方,
a=6.058 A
<100>
942
5.66
0.45

 

 

 

 

 

主要性能參數
單晶
摻雜
導電類型
載流子濃度
cm-3
遷移率(cm2/V.s)
位錯密度(cm-2)
標准基片
InAs
本征
N     
     5*1016
2*104
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
InAs
Sn
N
(5-20)*1017
>2000
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
InAs
Zn
P
(1-20) *1017
100-300
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
InAs
S
N
(1-10)*1017
>2000
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
尺寸(mm)
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測報告
抛光
單面或雙面
包裝
100級潔淨袋,1000級超淨室

 
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