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薄膜襯底 >> 半導體薄膜基片 >> InP單晶基片
InP單晶基片
 

 
簡要介紹
InP單晶材料作爲最重要的化合物半導體材料之一,是生産光通訊中InP基激光二極管(LD),發光二極管(LED)和光探測器等的關鍵材料
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詳細參數

InP單晶基片

InP單晶材料作爲最重要的化合物半導體材料之一,是生産光通訊中InP基激光LD),发光二極管(LED)和光探測器等的關鍵材料,這些器件實現了光纖通信中信息的發射、傳播、放大、接受等功能。InP也非常適用于高頻器件,如高電子遷移率晶體管(HEMT)和異質結雙極晶體管(HBT)等方面由于其本身具有的優越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽能電池、異質結晶體管等許多高技術領域有廣泛的應用. InP單晶材料的主要生長方法,包括傳統液封直拉技術(LEC)、改進的LEC技術、氣壓直拉技術(VCZ/PCLEC/垂直梯度凝固技術(VGF/垂直布裏奇曼技術(VB)等。

晶體
結構
晶向
熔點
oC
密度
g/cm3
禁帶寬度
InP
立方,
a=5.869 A
<100>
1600
4.79
1.344

 

 

 

 

 

主要性能參數
單晶
摻雜
導電
類型
載流子濃度
cm-3
遷移率(cm2/V.s)
位錯密度(cm-2)
標准基片
InP
本征
  
     N
(0.4-2)*1016
(3.5-4)*103
    5*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
S
N
(0.8-3)*1018
(4-6)*1018
(2.0-2.4*103
(1.3-1.6*103
    3*104
2*103
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Zn
P
(0.6-2)*1018
70-90
 
2*104
 
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Fe
N
  107-108
    ³2000
    3*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
尺寸(mm)
Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測報告
抛光
單面或雙面
包裝
100級潔淨袋,1000級超淨室

 
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