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陶瓷基片 >> 氮化鋁陶瓷基片 >> 氮化鋁陶瓷片
氮化鋁陶瓷片
 

 
簡要介紹
 氮化鋁陶瓷基片,热导率高,電性能好、熱膨脹系數與Si片接近,強度高,耐高溫,耐化學腐蝕,電阻率高,介電損耗小,無毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料,是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。
詳細參數

氮化鋁陶瓷基片(AlN)

      AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片,具有很高的熱導率(理論值爲319W/m.K,商品化的AlN基片熱導率大于140W/m.k)、較低的介電常數(8.8)和介電損耗(~4×104)、以及和矽相配比的熱膨脹系數(4.4×10-4/℃)等優點,化學組成 AI 65.81%N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,單晶無色透明,常壓下的升華分解溫度爲2450℃

       氮化鋁陶瓷基片,热导率高,電性能好、熱膨脹系數與Si片接近,強度高,耐高溫,耐化學腐蝕,電阻率高,介電損耗小,無毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料,是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。

      要應用于:高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體致冷等産品中做高性能基片材料和封裝材料,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。

産品特點
  • 高導熱性
  • 熱膨脹系數跟Si接近
  • 優良的絕緣性能
  • 較低介電常數和介質損耗

AlN(氮化鋁)陶瓷基片主要性能指標
性能內容
性能指標
體積密度 (g/cm3)
3.335
抗熱震性
無裂紋、炸裂
热导率 (30℃, W/m.k)
≥170
膨胀系数 (/℃, 5℃/min, 20-300℃)
2.805×10-6
抗折強度 (MPa)
382.7
體積電阻率(Ω.cm)
1.4×1014
介電常數(1MHz)
8.56
化学稳定性 (mg/cm2)
0.97
擊穿強度 (KV/mm)
18.45
表面粗糙度(μm)
0.3~0.5
翹曲度(length‰)
≤2‰
外觀/顔色
致密、细晶/ 暗灰色

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 純度:99%

 顔色:灰白色

 尺寸:100x100x1.0mm以內或者根據客戶的要求切割

 毛坯,單雙抛

 表面粗糙度: < 10nm(抛光)

 
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