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薄膜襯底 >> GaN 薄膜基片 >> 氮化镓(GaN)
氮化镓(GaN)
 

06
 
簡要介紹
GaN具有寬的直接帶隙,強的原子鍵,高的熱導率等性質和強的抗輻照能力,不僅是短波長光電子材料,也是高溫半導體器件的換代材料,GaN體系可以用來制備藍、綠光LED,藍紫、紫外光LD、紫外探測器以及高頻大功率電子器件。
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詳細參數

産品型號Item
GaN-FS-10
GaN-FS-15
尺寸Dimensions
10.0mm×10.5mm
14.0mm×15.0mm
孔洞密度Marco Defect Density
A Level
0 cm-2
B Level
≤ 2 cm-2
厚度Thickness
Rank 300
300 ± 25 µm
Rank 350
350 ± 25 µm
Rank 400
400 ± 25 µm
晶體取向Orientation
C-axis(0001) ± 0.5°
TTV(Total Thickness Variation)
≤15 µm
彎曲度BOW
≤20 µm
导电类型Conduction Type
N-type
Semi-Insulating
電阻率Resistivity(300K)
< 0.5 Ω·cm
>106 Ω·cm
位错密度Dislocation Density
Less than 5x106 cm-2
有效面积Useable Surface Area
> 90%
抛光Polishing
Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished
Back Surface: Fine ground
包裝Package
Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

 
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