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薄膜襯底 >> 半導體薄膜基片 >> 砷化镓(GaAs)
砷化镓(GaAs)
 

03
 
簡要介紹
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詳細參數

主要性能參數

 

晶體
結構
晶向
熔點
oC
密度
g/cm3
禁帶寬度
GaAs
立方
a=5.653 A
<100>
1238
5.31
1.424

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

單晶

摻雜

導電類型

載流子濃度cm-3

位錯密度cm-2

生長方法

標准基片(mm

GaAs

Si

undoped

N

>5×1017

<5×105

VGF

VB

Dia2″×0.35mm

Dia3"x0.35mm

Dia100×0.65mm

晶向

(100) 0°±0.5°,<111>

(100) 2°±0.5°off toward <111>A

(100)15°±0.5°off toward <111>A

尺寸(mm)

25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm

可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測報告

抛光

單面或雙面

包裝

100級潔淨袋,1000級超淨室

 
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