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晶體材料 >> 半導體晶體 >> 砷化镓(GaAs)
砷化镓(GaAs)
 

06
 
簡要介紹
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詳細參數

主要性能參數

單晶

摻雜

導電類型

載流子濃度cm-3

位錯密度cm-2

生長方法

標准基片(mm

GaAs

Si

N

>5×1017

<5×105

VGF(垂直梯度凝固法)

HB(垂直布裏奇曼法)

Dia2″×0.35

Dia100×0.35

晶向

(100) 0°±0.5°

(100) 2°±0.5°off toward <111>A

(100)15°±0.5°off toward <111>A

尺寸(mm)

25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm

可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測報告

抛光

單面或雙面

包裝

100級潔淨袋,1000級超淨室

 
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