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晶體材料 >> 半導體晶體 >> 碳化矽(SiC)
碳化矽(SiC)
 

04
 
簡要介紹
主要應用領域
1.高频大功率电力电子器件 Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN    diodes 、IGBT
2.光电子器件:主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料(GaN/SiC)LED
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詳細參數

主要性能參數
生長方法
MOCVD
晶體結構
六方
晶格常數
a=3.07 Å     c=15.117 Å 
排列次序
ABCACB
方向
生长轴或 偏<0001> 3.5 º
帶隙
3.02 eV (间接)
硬度
9.2(mohs)
密度
3.21g/cm3
折射率
no=2.55   ne=2.59
熱傳導@300K
3 - 5 x 106W/ m
介電常數
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x10mm,15x15mm, 20x20mm,Dia50.8mm,Dia76.2mm,Dia102.4mm
厚度
厚度:0.35mm
抛光
單面或雙面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達1°以內)
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級潔淨袋,1000級超淨室

 
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