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晶體材料 >> 半導體晶體 >> 鍺(Ge)
鍺(Ge)
 

03
 
簡要介紹
用途:制作半導體器件,紅外光學器件,及太陽能電池沈底等材料。 
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詳細參數

主要性能參數
生長方法
提拉法
晶體結構
立方
晶格常數
a=5.65754 Å       
密 度
5.323g/cm3
熔點
937.4℃
摻雜物質
不摻雜
摻Sb
摻Ga
類型
/
N
P
電阻率
>35Ωcm
0.01~10Ωcm
0.01~10Ωcm
EPD
<4×103∕cm2
<4×103∕cm2
<4×103∕cm2
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客戶要求劃片
厚度
0.5mm,1.0mm
抛光
單面或雙面
晶向
<100>、<110>、<111>、±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達1°以內)
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級潔淨袋,1000級超淨室
 
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