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晶體材料 >> 光電晶體 >> 二氧化矽(SiO2)
二氧化矽(SiO2)
 

02
 
簡要介紹
SiO2單晶水晶片是一種極好的基片,用于無線通訊工業的微波濾波器。
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詳細參數

主要性能參數
生長方法
水熱法
晶體結構
六方
晶格常數
a=4.914Å    c=5.405 Å
熔點(℃)
1610℃(相轉變點:573.1℃)
密度
2.684g/cm3
硬度
7(mohs)
熱熔
0.18cal/gm
熱導率
0.0033cal/cm℃
熱電常數
1200uv/℃(300℃)
折射率
1.544
熱膨脹系數
α11:13.71×106/ ℃ α33:7.48×106 /℃
Q值
1.8×106 min
聲速、聲表級
3160(m/sec)
頻率常數
1661(kHz/mm)
壓電偶合
K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
晶向
Y、X或Z切,在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值
主定位邊:根據客戶要求定方向±30分
次定位邊:根據客戶要求定方向
籽 晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm
抛光面
外延抛光:單抛或雙抛Ra<10Å
工作區域:基片直徑-3mm
弯 曲 度:Φ3″<20um,Φ4″<30um
工作區域無崩邊,在邊緣,崩邊寬度<0.5mm
坑和劃痕:每片<3,每100片<20
標准厚度
0.5mm±0.05mm TTV<5um
標准直徑
Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm
主定位边:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
次定位邊:10mm±1.5mm

 
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