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薄膜襯底 >> GaN 薄膜基片 >> 鋁酸锂晶體(LiAlO2)
鋁酸锂晶體(LiAlO2)
 

04
 
簡要介紹
鋁酸锂單晶與氮化镓的晶格失配率非常小(鋁酸锂爲1.4%)而成爲氮化镓薄膜的優質基片。
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詳細參數

主要性能參數
晶體結構
四方
晶格常數
a=5.17 A    c=6.26 A
熔點(℃)
1900
密度
2.62(g/cm3
硬度
7.5(mohs)
與GaN失配率<001>
1.4%
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Ф15,Ф20,Ф1″,Ф2″,Ф2.6″
厚度
0.5mm,1.0mm
抛光
單面或雙面
晶向
<100>  <001>
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達1°以內)
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級潔淨袋,1000級超淨室

 
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