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薄膜襯底 >> GaN 薄膜基片 >> SiC单晶 (6H-SiC,4H-SiC )
SiC单晶 (6H-SiC,4H-SiC )
 

02
 
簡要介紹
   SiC單晶具有許多優良的性質,熱導率高、飽和電子遷移率高、抗電壓擊穿能力強等,適合于制備高頻率、高功率、耐高溫以及耐輻照的電子器件。
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詳細參數

主要性能參數
生長方法
籽晶升华法 ,PVT(物理氣相傳輸)
晶體結構
六方
晶格常數
a=3.08 Å     c=15.08 Å 
密度
3.21 g/cm3
方向
生长轴或 偏<0001> 3.5 º
帶隙
3.26 eV (间接)
硬度
9.2(mohs)
熱傳導@300K
5 W/ cm.k
介電常數
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Dia2",Di3",Dia4"
厚度
0.35mm,
抛光
單面或雙面
晶向
<0001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達1°以內)
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級潔淨袋,1000級超淨室

 
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