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薄膜襯底 >> GaN 薄膜基片 >> 氧化鋅(ZnO)
氧化鋅(ZnO)
 

01
 
簡要介紹
  氧化鋅(ZnO) 是很好的GaN薄膜襯底材料,具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料.同时由于具有可见区透明,机电耦合系数大,能使气体分子在其表面的吸附-解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。

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詳細參數

主要性能參數
晶體結構
六方
晶格常數
a=3.252Å    c=5.313 Å
密度
5.7(g/cm3
硬度
4(mohs)
熔點
1975℃
熱膨脹系數
6.5 x 10-6 /℃//a     3.7 x 10-6 /℃//c
热 容
0.125 cal /g.m
熱電常數
1200 mv/k @ 300 ℃
热 导
0.006 cal/cm/k
透過範圍
0.4-0.6 um > 50% at 2mm
晶向
<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º
尺寸(mm)
25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測報告
抛光
單面或雙面
包裝
100級潔淨袋,1000級超淨室

 
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