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薄膜襯底 >> 高溫超導薄膜基片 >> 镓酸钕(NdGaO3)晶體
镓酸钕(NdGaO3)晶體
 

04
 
簡要介紹
NdGaO3是近十年中發展起來的新型基片,主要用作高溫超導體(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生長用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且無結構相變,在NdGaO3基片上可外延生長質量良好的薄膜。
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詳細參數

主要性能參數
晶體結構
正交
晶胞參數Å
a=5.43、b=5.50、c=7.71
熔點
1600℃
密度
7.57g/cm3
介電常數
25
生長方法
提拉法
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Ф15,Ф20,Ф1″,Ф2″,Ф2.6″
厚度
0.5mm,1.0mm
抛光
單面或雙面
晶向
<100>  <110>  <111>
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達1°以內)
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級潔淨袋,1000級超淨室

 
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