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薄膜襯底 >> 高溫超導薄膜基片 >> 摻钇氧化锆(YSZ)
摻钇氧化锆(YSZ)
 

02
 
簡要介紹
掺钇氧化锆(YSZ)单晶基片是最早应用于高温超导薄膜的材料之一。一般使用的氧化锆需要掺入钇作为稳定剂,常见浓度有13 mol%,YSZ具有机械和化学稳定性好、成本低的特点。由于氧化锆材料具有高硬度,高强度,高韧性,极高的耐磨性及耐化学腐蚀性等等优良的物化性能,氧化锆已经在陶瓷、耐火材料、机械、电子、光学、航空航天、生物、化学等等各种领域获得广泛的应用。
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詳細參數

主要性能參數
晶體結構
立方
晶格常數
a=5.147 Å 
熔點(℃)
2700
密度(g/cm3
6.0
硬度
8-8.5(mohs)
純度
99.99%
熱膨脹系數(/℃)
10.3×10-6
介電常數
ε=27
生長方法
弧熔法
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度
0.5mm,1.0mm
抛光
單面或雙面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達1°以內)
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級潔淨袋,1000級超淨室

 
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